所长,极紫外线激光是怎么分类的,我怎么没听说过?”
赵国庆说:“不一定是激光,波长13.5纳米的光源,仅次于x光的光源!”
“……”
小赵老师摇摇头,极紫外线光源技术保密程度极高,能查到的就是用二氧化碳激光机射击一个小小的锡球,辐射出13.5纳米的深紫外线,而且光线还是分散的,需要凹面镜来反射,怎么看都像是老美给出的技术陷阱。
肯定有别的办法……
湾岛人的职务都不高,好在都是一线的。
小赵老师试探来试探去,他们对制程这块确实没太多研究,每天的工作也是公式化的,不过有个好处是,可以带来规范的车间管理。
再问道芯片晶体管结构,小赵老师明悟了。
想了想也难怪,现在i线386纳米光源还没利用到极限,Intel目前量产的386处理器还用的1.5微米的制程,但386纳米光源的极限制程在600到800纳米之间。
主要芯片加工厂在制程上,最需要解决的是合适的半导体结构,多是在晶体管物理层面上探索,使之更加适用于光刻而保证良品率。
比如现在德州仪器所用的深沟槽,基底离子注入衬垫来解决800纳米制程带来的晶体管漏电问题,实际上也就是对本身的PN结构一种改良,并没有涉及到效应晶体管结构的革命,而FinFET鳍片式场效应晶体管才是突破。
而制程一直到65纳米之后,光刻机光源才开始制约芯片制程的提高,到那个时候,人们才开始研究,如何突破现有波长的光源理论制程的极限。
多重曝光技术也就是从那个时候开始的。
小赵老师想明白这件事,心下对101所芯片制程的发展思路一下子放开了。
FinFET场效应晶体管芯片他研究的够深入了,可以直接拿来上800纳米制程,计划三年内进入商用化。
同时在多重曝光技术上加大投入,六年内,300纳米制程商用化。
为此榨干PA2000光刻机最后的性能,386纳米光源的极限也就差不多了,最多到200纳米。
而六年的时间,准备将氟化氪光源、氟化氩光源装到PA2000上,或者装到我们自己的光刻机上。
130纳米,90纳米,65纳米,45纳米,28纳米,14纳米……
一直到x光终结者光源上线。
漫长的二十年芯片发展计划……
次日,101所激光研究室,小赵老师亲自授课。
“相位差恒定,振动方向一致,就会产生干涉,对吧!”
“当锁定不同激光纵模即频率之间的相位差后,是不是就会将大部分能量集中到干涉增强处?”
“你们看,这是普通未锁定相位的光强时域分布,这是锁定后的!”
小赵老师短短几句话,就给卢怡榕团队打开了新思路,她们急忙拿起笔来计算。
数十分钟后,卢怡榕神色激烈的对小赵老师说:“通过干涉这种方法,可以用多个激光发生器发出干涉,将脉冲宽度压缩到皮秒量级,甚至到亚飞秒量级,功率达到10^9W量级,赵所长,你真的神了!”
赵国庆摇摇头,拿下卢怡榕手上的笔,在纸上画了一个草图。
“这是振荡器,这是展宽器,这是放大器,这是压缩器,伱看光线先展宽、然后放大、再压缩成高功率短脉冲的激光……”
“……”
小卢同学已经麻木了。
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